在橫切方向X上，自發光區塊310較所對應之控制電路區塊110朝向第一側邊101突出一偏移距離D。 較接近第一側邊101之自發光區塊310比較遠離第一側邊101之自發光區塊310具有較大之偏移距離D；換言之，越接近第一側邊101的自發光區塊310會突出於所對應的控制電路區塊110越多。 具體而言，以第一自發光區塊311、第二自發光區塊312及第三自發光區塊313為例，第一發光區塊311具有朝向第二發光區塊312之一側210，其係較第一控制電路 區塊111朝向第二控制電路112之一側220突出第一偏移距離D1。 第二發光區塊312具有遠離第一發光區塊311之一側230，其係較第二控制電路區塊112遠離第一控制電路區塊111之一側240突出第二偏移距離D2。
以在橫切方向X上的投影長度而言，越接近第一側邊101的連接線路710具有越長的投影長度。 例如第二連接線路712在橫切方向X上的投影長度L2即大於第一連接線路711在橫切方向X上的投影長度L1。 本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置包括畫素電路基板、多個發光元件、驅動電路基板、多個連接端子以及導電黏著層。 例如可以在控制電路區塊110中之閘極171作為具有重覆性的結構特徵，而可定義在相鄰控制電路區塊110中的閘極171與閘極172側邊間的距離為第一距離W1。 例如可以在自發光區塊310中實質發光區域的最外緣作為具重覆性的結構特徵，而可定義在相鄰自發光區塊310中各自實質發光的區域最外緣間的距離為第二距離W2。 第二距離W2較佳係大於第一距離W1，以達成偏移距離D累積的效果。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
電性連接到同一列畫素電路120的多個連接端子400對應驅動單元中的多個設置。 畫素電路120中的每一列對應驅動單元SR11~SR1n中的一個、驅動單元SR21~SR2n中的一個以及驅動單元SR31~SR3n中的一個。 對應至同一列畫素電路120之驅動單元的數量可以依照實際需求而進行調整。 驅動單元SR1~SRn透過輸出線230以及連接線240而將訊號傳遞至畫素電路基板110中之連接端子400。 在本實施例中，電性連接到同一列畫素電路120的多個連接端子400對應驅動單元SR1~SRn中的其中一個設置。
- 在本實施例中，電性連接到同一列畫素電路120的多個連接端子400對應驅動單元SR1~SRn中的其中一個設置。
- 另在第二自發光區塊312右側(朝向第一側邊101之一側)的第三自發光區塊313較所對應之第三控制電路區塊113突出偏移距離D3。
- 在本實施例中，驅動單元SRn-1（圖1B省略繪出）透過輸出線230而電性連接至驅動單元SRn。
- 此外，由於本實施例中的畫素電路以及驅動電路式分別製作於第一基板以及第二基板上，因此，可以降低顯示裝置的製造難度。
- 畫素電路基板100a包括第一基板110a、子畫素電路122B、導電結構a1以及導電結構a2。
在本實施例中，顯示裝置包含主動矩陣式有機發光二極體顯示器，但不以此為限。 自發光層較佳係由有機發光二極體所形成；然而在不同實施例中，自發光層亦可由其他材料形成。 如申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，其中同一列該些畫素電路所對應的該些驅動單元產生相同的驅動訊號。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
在圖5的實施例中，控制電路區塊110在橫切方向X上具有平均寬度A1，而自發光區塊310在橫切方向X上具有平均寬度A2，其中寬度A2大於寬度A1。 當控制電路區塊110及自發光區塊310為矩形時，寬度A1及寬度A2分別為各自的平行於橫切方向X的邊長長度。 然而由於控制電路區塊110及自發光區塊310在平行於控制電路層100及自發光層300的平面上形狀可能為矩形外的其他形狀，因此寬度A1及寬度A2可分別為各自於橫切方向X上各剖面寬度的平均值。 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，更包括一緩衝層，位於該第一基板以及該導電黏著層之間，其中該些連接端子貫穿該緩衝層，且該些連接端子於該緩衝層中的寬度大於該些連接端子於該第一基板中的寬度。
閘極GAa重疊於通道層CHa，且閘極GAa與通道層CHa之間夾有閘絕緣層GIa。 源極Sa與汲極Da位於第一絕緣層I1a上，且電性連接至通道層CHa。 在本實施例中，閘極GAa電性連接至掃描線（未繪出），源極Sa電性連接至資料線（未繪出）。 畫素電路基板100a包括第一基板110a、子畫素電路122B、導電結構a1以及導電結構a2。 基於上述，由於畫素電路120中的每一列對應一個以上的驅動單元設置，同一列畫素電路120上之訊號分佈的較一致，不容易出現訊號分佈不均的問題。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
緩衝層140b位於第一基板110b以及導電黏著層300b之間。 導電結構b1貫穿第二絕緣層I2b、第一絕緣層I1b、閘絕緣層GIb、第一基板110b以及緩衝層140b。 導電結構b1於緩衝層140b中的寬度大於導電結構b1於第一基板110b中的寬度，藉此能使紅色發光層RL更佳的與畫素電路基板100c電性連接。 在圖7所示的實施例中，在橫切方向X上，第一控制電路區塊111寬度之中心C1與第二控制電路區塊112寬度之中心C2相距第一間距G1。 另第一自發光區塊311寬度之中心C3與第二自發光區塊312寬度之中心C4相距第二間距G2。 第二間距G2較佳大於第一間距G1，以達成偏移距離D累積的效果。
連接端子400c位於畫素電路基板100c中，且畫素電路基板100c透過導電黏著層300c以及連接端子400c而電性連接驅動電路基板200。 在本實施例中，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c皆電性連接至驅動電路基板200。 驅動電路基板200用來驅動畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
在圖2所示之實施例中，顯示裝置包含控制電路層100及自發光層300。 控制電路層100具有在橫切方向X上排列分佈的複數個控制電路區塊110；以控制電路層100整體而言，控制電路區塊110較佳係採矩陣的方式分佈。 矩陣分佈包含但不限於正交矩陣分佈，亦可包含蜂巢式矩陣分佈或其他由不規則形狀但以規則或重複方式排列而形成的週期性分佈。 橫切方向X較佳係指跨越整個控制電路層100且平行於控制電路層100一側邊的方向。
另在第二自發光區塊312右側(朝向第一側邊101之一側)的第三自發光區塊313較所對應之第三控制電路區塊113突出偏移距離D3。 由於在同一橫切方向X上排列，因此第二偏移距離D2大於該第一偏移距離D1間的差值以及第三偏移距離D3大於該第二偏移距離D2間的差值可以累加，而使得偏移距離逐步變大。 因此最接近第一側邊101的第三偏移距離D3將會最大；換言之，即上方自發光區塊310與下方對應的控制電路區塊110間錯位越大。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
緩衝層140位於第一基板110以及導電黏著層300之間。 連接端子400於緩衝層140中的寬度W1大於連接端子400於第一基板110中的寬度W2，藉此能使畫素電路基板100能更佳的與驅動電路基板200電性連接。 圖1A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的畫素電路基板的上視示意圖。
- 在其他實施例中，每個畫素電路120中的子畫素電路122可以採用其他的方式排列，且每個畫素電路120中的子畫素電路122可以有不同的大小。
- 在一些實施例中，導電黏著層300可以整面覆蓋驅動電路基板200也可以部份覆蓋驅動電路基板200。
- 雖然本實施例是以包括子畫素電路122B的畫素電路基板100a較包括子畫素電路122R的畫素電路基板100c更遠離驅動電路基板200為例，但本發明不以此為限。
在本實施例中，以發光二極體E為有機發光二極體為例，但本發明不以此為限。 在其他實施例中，發光二極體E為無機發光二極體或其他發光元件。 在本實施例中，發光層L包括藍色發光層BL、紅色發光層RL、綠色發光層GL及/或其他顏色的發光層。 換句話說，子畫素電路122包括藍色子畫素電路122B、紅色子畫素電路122R、綠色子畫素電路122G及/或其他顏色的子畫素。 第一基板110之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
每個自發光區塊310可具有不同的顏色，例如紅、綠、藍、白等，而各顏色係週期性地分佈於整個自發光層300上。 自發光區塊310的範圍，較佳係為發光材料本身分佈的範圍；然而上述範圍亦可以在自發光層300上以矩陣形式形成重複變化的結構來劃分，因此可包含作為發光材料間間隔的結構。 自發光區塊310的範圍形狀較佳為四邊形，但亦可為其他多邊形或不規則的形狀。 在較佳實施例中，自發光區塊310包含在橫切方向X上相鄰排列的第一自發光區塊311及第二自發光區塊312。 第一自發光區塊311及第二自發光區塊312分別與第一控制電路區塊111及第二控制電路區塊112對應且訊號連接。
在本實施例中，畫素電路基板100c更包括緩衝層140c。 緩衝層140c位於第一基板110c以及導電黏著層300c之間。 劉俊欣 閘極GAc重疊於通道層CHc，且閘極GAc與通道層CHc之間夾有閘絕緣層GIc。 源極Sc與汲極Dc位於第一絕緣層I1c上，且電性連接至通道層CHc。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
驅動單元SR12、驅動單元SR22以及驅動單元SR32產生相同的訊號，且電性連接至同一條掃描線。 驅動單元SR1n、驅動單元SR2n以及驅動單元SR3n產生相同的訊號，且電性連接至同一條掃描線。 顯示裝置 本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種包括畫素電路基板以及驅動電路基板的顯示裝置。 請參考圖4，在本實施例中，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b、畫素電路基板100c以及畫素電路基板100d電性連接至同一個驅動電路基板200。 畫素電路基板100a、畫素電路基板100b、畫素電路基板100c以及畫素電路基板100d例如位於同一平面上。
如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中各該畫素電路包括一藍色子畫素電路、一紅色子畫素電路以及一綠色子畫素電路，且該些連接端子位於該些藍色子畫素電路中。 圖3是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。 在本實施例中，同一列畫素電路120所對應的驅動單元產生相同的驅動訊號（例如閘極驅動訊號）。 舉例來說，驅動單元SR11、驅動單元SR21以及驅動單元SR31產生相同的訊號，且電性連接至同一條掃描線。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
在本實施例中，畫素電路基板100a更包括緩衝層140a。 劉俊欣 緩衝層140a位於第一基板110a以及導電黏著層300a之間。 導電結構a1以及導電結構a2貫穿第二絕緣層I2a、第一絕緣層I1a、閘絕緣層GIa、第一基板110a以及緩衝層140a。 導電結構a1以及導電結構a2於緩衝層140a中的寬度分別大於導電結構a1以及導電結構a2於第一基板110a中的寬度，藉此能使紅色發光層RL以及綠色發光層GL更佳的與畫素電路基板100b電性連接。 請參考圖1A與圖2，驅動電路220包括驅動單元SR11~SR1n、驅動單元SR21~SR2n、驅動單元SR31~SR3n、訊號線ST、訊號線CLK、訊號線XCLK以及輸出線230。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該畫素電路基板包括： 一第一基板，其中該些連接端子貫穿該第一基板；以及 多個畫素電路，位於該第一基板上，且電性連接至該些連接端子。 綜上所述，顯示裝置之驅動電路基板位於畫素電路基板背面，藉此，使顯示裝置具有窄邊框甚至無邊框的優點。 此外，由於本實施例中的畫素電路以及驅動電路式分別製作於第一基板以及第二基板上，因此，可以降低顯示裝置的製造難度。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
第二發光區塊具有遠離第一發光區塊之一側，其係較第二控制電路區塊遠離第一控制電路區塊之一側突出第二偏移距離。 由於在同一橫切方向上排列，因此第二偏移距離大於該第一偏移距離間的差值可以累加，而使得越接近第一側邊時，偏移距離越大。 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該驅動電路基板包括： 一第二基板；以及 一驅動電路，位於該第二基板上，其中該驅動電路包括多個驅動單元。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
連接層700包含了複數個連接線路710，其較佳可由金屬或其他具導電性的材料設置而成。 每一連接線路710的兩端(兩側)分別連接於彼此對應的控制電路區塊110及自發光區塊310。 劉俊欣 例如第一連接線路711的一端連接於第一控制電路區塊111，而另一端則連接於第一自發 光區塊311；第二連接線路712的一端連接於第二控制電路區塊112，而另一端則連接於第二自發光區塊312。
如圖2所示，自發光層300設置於控制電路層100上方。 在本實施例中，係以最終的影像顯示方向作為上側來進行說明。 自發光層300具有在橫切方向X上排列分佈的複數個自發光區塊310；以自發光層300整體而 言，自發光區塊310較佳採矩陣方式分佈。 在本實施例中，自發光區塊310較佳為由有機發光二極體所形成的子畫素，並與控制電路區塊110分別對應。 但在不同實施例中，自發光區塊310亦可包含多個子畫素，並由多個子畫素形成一個完整畫素的範圍。 自發光區塊310可以下方的電極350與所對應的控制電路區塊110訊號連接，以為控制電路區塊110所控制而產生光線。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
以本實施例而言，橫切方向X較佳與顯示裝置的第一側邊101垂直且與第二側邊102平行，其中第一側邊101及第二側邊102較佳係指顯示裝置相垂直的兩側實體邊緣。 劉俊欣 控制電路區塊110較佳為薄膜電晶體所形成的控制電路，並對應於顯示裝置的每一畫素或子畫素而設置。 每一控制電路區塊110中包括兩個薄膜電晶體，以分別控制此一區塊充電的啟閉及充電的電壓。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
圖1B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的驅動電路基板的上視示意圖。 圖1C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 為了方便說明，圖1A畫出了畫素電路基板100所對應之連接端子400的位置，且圖1B畫出了驅動電路基板200所對應之連接端子400的位置。 如請求項1所述之顯示裝置，其中在該橫切方向上，該第一控制電路區塊之平均寬度小於該第一自發光區塊之平均寬度；該第二控制電路區塊之平均寬度小於該第二自發光區塊之平均寬度。 如請求項1所述之顯示裝置，其中在該橫切方向上，該第一控制電路區塊寬度之中心與該第二控制電路區塊寬度之中心相距一第一間距；在該橫切方向上，該第一自發光區塊寬度之中心與該第二自發光區塊寬度之中心相距一第二間距；該第二間距大於該第一間距。 在橫切方向上，第一發光區塊具有朝向第二發光區塊之一側，其係較第一控制電路區塊朝向第二控制電路之一側突出第一偏移距離。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。 子畫素電路122R、子畫素電路122G、子畫素電路122B的位置可依需求調整。 雖然本實施例是以包括子畫素電路122B的畫素電路基板100a較包括子畫素電路122R的畫素電路基板100c更遠離驅動電路基板200為例，但本發明不以此為限。 在其他實施例中，包括子畫素電路122R的畫素電路基板100c與包括子畫素電路122B的畫素電路基板100a的位置可以互相對調。 換句話說，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c的位置可以依實際需求而調整。 圖3之顯示裝置10a與圖1C之顯示裝置10的主要差異在於：顯示裝置10a包括多個畫素電路基板（例如畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c）。